众所周知，闪存层数越多，闪存容量越大。此前三星品牌存储的3D V-NAND已经堆到了惊人的48层，工艺精良，不过据《日经亚洲评论》报道，东芝正在谋划多达64层的NAND闪存，比三星多三分之一！
三月底之前，东芝公司将会投产最新一代的3D闪存，这将领先于闪存老对手三星电子。
近日东芝因为财务丑闻，公司运营陷入了艰难境地，东芝也希望自己占据技术优势的闪存业务，能够提振全公司的表现。
据报道，在东芝和三星电子目前生产的闪存芯片中，在垂直方向上一共使用了48层芯片，层数的增加，意味着在单位的面积内，闪存芯片的数据容量更大。目前智能手机朝着超薄化发展，手机内部空间十分宝贵，因此闪存芯片密度的提升，对于手机产业有着积极的意义。
三星则可能会在2017年下半年启用位于韩国京畿道平泽市的新工厂，生产自己的64层闪存，但官方尚未明确表态。
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本文转自d1net（转载）
时间： 2024-10-07 20:43:08