海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone

苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。

海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存供应商来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其他商业产品中。其他 iPhone 7 型号采用海力士闪存芯片。

32GB iPhone 7 比 128 GB 型号更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为 856Mbps。东芝和海力士的内存芯片采用 15纳米工艺打造  

 

  

本文转自d1net（转载）

时间： 2024-08-26 09:54:13

海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone的相关文章

三星全球最大半导体工厂即将建成，64层堆栈3D闪存七月投产

作为全球最大的NAND芯片供应商,三星自己一家就占据全球37%的份额,是第二名东芝的两倍,产能.技术都要领先于其他几家公司.现在其他公司赶超三星闪存的可能性更小了,因为三星两年前斥资144亿美元建设的平泽工厂基本完工了,三星称其为世界最大的半导体工厂,预计7月份正式投产,主要生产64层堆栈的新一代3D NAND闪存. 2015年三星宣布了15.6万亿韩元(约合144亿美元)的半导体投资计划,将在韩国平泽市建设全球最大的NAND晶圆厂,预计在2017年上半年完工.平泽工厂将在三星的NAND业务中扮

速度再涨2成 海力士发布首款72层3D闪存

去年11月,SK海力士正式推出了自家首颗48层3D NAND闪存芯片,标志着3D NAND技术的一次飞跃,但时隔5个月,海力士再次打破纪录,推出了世界首款基于TLC阵列的72层3D NAND芯片,超过三星.美光及东芝新一代64层3D NAND闪存. 相比于海力士之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加了30%.此外,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍,读写性能剧增20%! 海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下

海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%

韩国海力士公司目前宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND,容量为256Gb,仍为TLC. 据了解,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加30%.同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍,读写性能增20%. 海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产,以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求.        本文转自d1net(转载)

SK海力士成功研发72层堆叠闪存：TB级SSD/手机来了

PC明星产品固态硬盘的发展速度依然激进,SK海力士今天宣布,已经成功研发出72层堆叠.单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片.由此,SK海力士成为业界第一,领先三星和东芝的64层.     于是,一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB,只需要两颗芯片,就能造出单面1T.双面2T的M.2 SSD,且成本更低. 如不出意外的话,SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番. 另外,除了SSD,SK海力士称,相关芯片也会用于智能手机. 根据Gartner的统计,SK海力士是DRAM世界第二.闪

韩企全球首造72层3D NAND芯片 下半年或量产

据韩联社4月10日报道,韩国半导体企业SK海力士当天宣布,研发出全球首款256Gb的第4代72层3D NAND Flash,预计2017年下半年量产. NAND Flash闪存供应商为满足客户不断增加的储存空间需求,正不断强化3D堆叠设计,提升NAND Flash的储存密度.虽然韩国三星电子和日本东芝已量产3D NAND Flash,但仅堆叠64层,而SK海力士此次研发出的3D NAND Flash达到72层,这3家公司NAND Flash的容量相同,均为256Gb. SK海力士从2016年第2

三星NAND闪存蓄势待发：年底前量产64层第四代3D NAND

三星将会在西数/东芝之前批量生产64层3D NAND,并且目前正在研究3D XPoint内存技术.而西数/东芝此前宣布他们已经开始生产64层3D NAND,对于三星来说,这正是一个宣布自己将会在年底前批量生产64层3D NAND的好时机. 据称,西数/东芝将会在2017年年中开始批量生产最早的256Gbit芯片,比三星晚了近6个月. 三星的一位代表在财报电话会议上表示:"我们的目标是在今年年内批量生产采用我们4G-NAND的SSD." 在这次会议上,来自三星内存市场团队的Sewon C

三星年底量产64层堆栈3D闪存：西安是主产地

在前几天发布的初期财报数据中,三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境,但盈利同比增长6%,这次移动部门是没啥指望了,让三星大赚特赚的是半导体,不断涨价的内存.闪存就是大功臣.今年智能手机内存.闪存容量不断增加,导致市场供应吃紧进而涨价,三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存,64层堆栈,届时韩国的华城.中国的西安工厂都将是主产地. ▲中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地 在3D闪存方面,三星的V-NAND闪存量产时间最早,领先SK Hynix.东芝.美光.Intel至

SK Hynix量产48层堆栈3D NAND闪存

随着固态硬盘在市场的普及,这也使NAND闪存需求居高不下,各大闪存厂商也纷纷扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司. 图片来自网络 3D NAND闪存在性能.容量.可靠性.成本等方面有全面性的优势,而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标.目前也是三星3D闪存的主力,去年底到现在开始主推48层堆栈的第三代V-NAND闪存. 在今年底SK Hynix公司的NAND产能也将从目前每月1万片12寸晶圆翻倍到

长江存储年底提供自研32层堆叠3D NAND闪存样品

据业内消息称,紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)正在规划开发自己的DRAM内存制造技术,而且可能直奔当今世界最先进的20/18nm工艺. 长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的,并邀请了台湾地区华亚科技董事长高启全(Charles Kau)加盟,出任全球执行副总裁. 据高启全披露,长江存储致力于开发自己的存储芯片,除了3D NAND闪存之外,还组建了500人的研发团队,攻关DRAM内存制造技术. 同时,长江存储还将继续与好伙伴美光合作,互助互利,这对于其实现技术突破也