台积电试产16nm FinFET Plus 2015年底前完成流片

摘要： 台积电试产16nm FinFET Plus 2015年底前完成流片 11月13日消息，台积电今天官方宣布，16nm FinFET Plus（简称16FF+）工艺已经开始风险性试产。 16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本，同样有立体晶体 台积电试产16nm FinFET Plus 2015年底前完成流片

　11月13日消息，台积电今天官方宣布，16nm FinFET Plus（简称16FF+）工艺已经开始风险性试产。

　　16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本，同样有立体晶体管技术在内，号称可比20nm SoC平面工艺性能提升最多40％，或者同频功耗降低最多50％。

　　台积电表示，该工艺已经在ARM 64位架构上通过了验证，Cortex-A57大核心能够跑到2.3GHz，Cortex-A53小核心则能做到75mW。

　　台积电称，16FF+工艺将在11月底按计划通过全部可靠性验证，已有近60项客户芯片设计安排在2015年底前完成流片。

　　目前Avago、飞思卡尔、LG、联发科、NVIDIA、瑞萨电子、Xilinx都表达了对台积电16FF+工艺的支持，还表示他们都正在准备相应的产品。（然雨）