ARM基于台积公司10奈米FinFET多核心测试晶片

安谋国际(ARM)宣布首款采用台积公司10奈米FinFET制程技术的多核心64位元ARM v8-A处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示，相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+制程技术，此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。

此款测试晶片已成功获得验证(2015 年第 4 季已完成设计定案)，为该公司与台积公司持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积公司最先进的10奈米FinFET制程完成设计定案。此外，亦可供SoC设计人员利用基础IP(标准元件库、嵌入式记忆体及标准I/O)开发具竞争力的SoC，以达到较高效能、较低功耗及较小面积。

ARM执行副总裁暨产品事业群总经理Pete Hutton表示，高阶行动应用SoC设计的最高指导原则就是低功耗，因为现今市场对装置效能的需求日益高涨。台积公司的16奈米FFLL+制程与 ARM Cortex处理器已奠定低功耗的新标准。我们与台积公司在10奈米FinFET制程技术的合作，可确保在SoC层面上的效率，使客户在维持严苛的行动功耗标准下，同时能够有余裕发展更多的创新。

本文转自d1net（转载）

时间： 2024-07-31 07:19:37

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