同富士通半导体合设研发中心

通富微电（002156）公告，公司与富士通半导体株式会社拟建立合作研发平台，利用半导体产业快速发展的机遇加快先进封装技术成果的转化及产业化。8月30日，双方签署了《合作设立研发中心意向书》。　　富士通半导体与公司第二大股东富士通（中国）有限公司同为富士通株式会社的全资子公司，同受富士通株式会社控制，为公司关联方。　　研发中心设在通富微电。主任由公司董事长石明达担任，副主任分别由双方各推荐一名担任。富士通半导体委派3-4名研发人员在研发中心工作。研发中心计划在2010年年内开始运行。　　双方共同协商制定研发中心的研发战略、方向及项目。在今后1-2年内，研发的重点是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技术。　　通富微电称，研发中心的设立，将加大公司研发新型封装产品和技术的力度，有利于公司综合技术水平的提升，有利于加快先进封装技术成果的转化及产业化。