问题描述

自举方式驱动全桥电路的问题（光耦驱动四路MOSFET）

原理图如上图，画的有点小有点难看，请多多包涵
采用了自举驱动方式，用四个HCPL-3120光耦驱动四路MOSFET（IRFP460）形成的全桥电路，负载暂且用300Ω电阻进行测试
两组电源分别接到两组上下桥驱动光耦，一组电源接到上桥臂的D极与下桥臂的S极，最后三个电源的负极都接在一起

用示波器分别测输出端 a 点与 b 点的波形（相对于地）
示波器调节衰减10倍测量波形，暂且不管尖峰问题

加快采样频率：

上桥臂的门极与源极的波形：

两组上桥臂的门极波形：

两组下桥臂的门极波形：

很明显，采用自举驱动方式之后，驱动上桥臂门极的信号得到放大，且以S极作为参考，GS之间得到一个10V左右的驱动电压
那么这个全桥电路应该算是在工作了
但是驱动下桥臂的两个光耦发热情况比驱动上桥臂的严重，虽然不至于会很烫，但个人认为长时间工作的话不能接受

请问对于下桥臂的驱动电路要怎么修改才能得到改善呢？还是说全桥电路未能正常工作，还存在着其他

解决方案

驱动频率我看是150k对吗？？一定要这么高的驱动频率吗？？降低驱动频率热可能会降低 。而且pwm存在很严重的过冲，都会造成影响。mosfet管的发热不严重吗？？