海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%

据韩联社4月10日报道,韩国半导体企业SK海力士当天宣布,研发出全球首款256Gb的第4代72层3D NAND Flash,预计2017年下半年量产. NAND Flash闪存供应商为满足客户不断增加的储存空间需求,正不断强化3D堆叠设计,提升NAND Flash的储存密度.虽然韩国三星电子和日本东芝已量产3D NAND Flash,但仅堆叠64层,而SK海力士此次研发出的3D NAND Flash达到72层,这3家公司NAND Flash的容量相同,均为256Gb. SK海力士从2016年第2

   全球领先的闪存存储解决方案提供商SanDisk闪迪公司(纳斯达克交易代码:SNDK)今日发布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片,并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线. SanDisk闪迪公司执行副总裁.主管存储技术的Siva Sivaram博士表示:"我们很高兴地宣布我们首款量产3D NAND芯片的发布.它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片,采用我们业内领先的48层BiCS技术1开发,展现了SanDisk闪迪在X3技

256GB 3位元型芯片是目前行业最小芯片 西部数据公司今日宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3,具有64层垂直存储功能.BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发,初步的闪存容量为256GB,且在单芯片上的容量最高可达0.5TB.目前,西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产,预计今年晚些时候完成初产.公司计划在2017年上半年开始商业化量产. 西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示:"在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术,将增强

去年11月,SK海力士正式推出了自家首颗48层3D NAND闪存芯片,标志着3D NAND技术的一次飞跃,但时隔5个月,海力士再次打破纪录,推出了世界首款基于TLC阵列的72层3D NAND芯片,超过三星.美光及东芝新一代64层3D NAND闪存. 相比于海力士之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加了30%.此外,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍,读写性能剧增20%! 海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下

浦科特公司下午举行发布会,推出了新一代高性能M9Pe SSD硬盘,有M.2及PCI-E两种版本,两个系列的硬盘都使用了黑色散热器,颜值不错,而且配备RGB LED灯.值得注意的是,M9Pe系列硬盘使用的是东芝64层堆栈的3D NAND闪存,这是东芝.西数之外首次见到第三方厂商使用东芝新一代3D NAND闪存. M.2和PCI-E版M9Pe硬盘 浦科特目前的M8Pe系列SSD硬盘外壳是金属拉丝工艺,新发的M9Pe系列有所不同,看起来更圆滑一些,不过配色.颜值依然很高,PCI-E版本还支持RG LE

这款Esprimo FH99/CM电脑属于富士通最新FMV电脑系列,该电脑的http://www.aliyun.com/zixun/aggregation/32839.html">液晶显示器上安装有一块转换面板,使得用户可以在屏幕上直接欣赏3D影像.富士通计划于2月25日在日本发布这款3D台式电脑,之后将视情况在海外市场推出.此前,富士通已经推出了一款3D台式电脑,但是要求用户佩带专门眼镜才能 欣赏3D影像.富士通工程师Toshiro Ohbitsu表示:"我们即将推出的这款3D

随着固态硬盘在市场的普及,这也使NAND闪存需求居高不下,各大闪存厂商也纷纷扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司. 图片来自网络 3D NAND闪存在性能.容量.可靠性.成本等方面有全面性的优势,而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标.目前也是三星3D闪存的主力,去年底到现在开始主推48层堆栈的第三代V-NAND闪存. 在今年底SK Hynix公司的NAND产能也将从目前每月1万片12寸晶圆翻倍到

据业内消息称,紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)正在规划开发自己的DRAM内存制造技术,而且可能直奔当今世界最先进的20/18nm工艺. 长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的,并邀请了台湾地区华亚科技董事长高启全(Charles Kau)加盟,出任全球执行副总裁. 据高启全披露,长江存储致力于开发自己的存储芯片,除了3D NAND闪存之外,还组建了500人的研发团队,攻关DRAM内存制造技术. 同时,长江存储还将继续与好伙伴美光合作,互助互利,这对于其实现技术突破也

在闪存技术方面,Intel去年获得了3D XPoint黑科技突破,还准备投资55亿美元将中国的大连工厂转为3D闪存厂,只不过这种新型闪存量产还要等到今年底.在普通3D闪存方面,Intel.美光要比三星.东芝落后半拍,不过随着IMFT产能的扩大,除了美光的3D闪存硬盘之外,Intel自己也也会推出3D闪存硬盘,容量可达10TB. 即便Intel准备在3D XPoint闪存上甩开美光单干,但现在双方还离不开合资的IMFT公司,后者为美光.Intel生产NAND及3D NAND闪存.美光前不久公布了3