三星电子（Samsung Electronics）原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行第二阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入存储器7年来最糟的供需不平衡情况，加上东芝（Toshiba）、新帝（SanDisk）与英特尔（Intel）等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。
目前三星电子西安工厂只使用整体腹地（约34万坪）的5分之1，而且以目前 的设备来说，已经到达最大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内对剩余腹地进行第二阶段投资。Digital Times日前引述业界消息，指三星在西安半导体工厂的第二阶段投资计划恐将延期至2017年以后进行。
2014年首次启动的西安工厂，是三星3D V-NAND的核心生产基地。相关人士表示，启动不到2年的西安工厂，如以晶圆投入基准来看，已逼近每月10万片水准，产量大大超过原本预估的6万~7万片水准。
三星之所以不执行第二阶段投资的理由，很可能与东芝、新帝等大手笔增设NAND Flash产线有关。东芝之前和新帝共同投资5，000亿日圆（约43亿美元）设立3D NAND Flash生产工厂，预计2017年将开始正式启动。
另外，英特尔和美光（Micron）也投入3D NAND Flash量产，如果连三星也进入西安厂第二阶段投资，NAND Flash市场恐将陷入无法挽回的供给过剩竞争。
南韩半导体业界相关人士进一步解释，以三星立场来说，拥有最安全量产结构的东芝进入并瓜分市场将是最大担忧。虽然目前英特尔和美光尚不具有太大危胁，但也有可能蚕食大陆新一代资料中心的市场需求大饼。
2016年三星策略是对半导体设备投资减至最低程度，计划从2017年开始以新一代DRAM决胜。三星预估目前处于最糟市况的DRAM，可能将在下半年达到最低点，2017年之后开始回升，所以在这时期预计只会启动平泽工厂第一阶段计划生产最顶尖DRAM。
至于在NAND Flash方面，将以提高3D V-NAND的世代以强化高阶市场支配力，另外也计划强化产品的价格竞争力。三星内部相关人士表示，虽然无法公布半导体设备的相关投资计划，但是三星将视 市场情势变化，灵活运用各种对策因应。
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