英特尔公开“高K介质”：40年来最重要商业机密

11月17日消息，英特尔昨日在中国发布基于45纳米制程的处理器产品，同时也公开了一个“40年来最重要”的商业秘密。　　公布“高K介质”的秘密　　简单而言，45纳米制程处理器的发布，对英特尔最具里程碑意义的事情，是它找到了一种新的材料制造处理器，解决旧的多晶硅材料无法解决的漏电问题，使得处理器的晶体管密度更高、功耗更低、性能更强大。正是因为英特尔找到了这种新的材料，摩尔定律的创始人戈登·摩尔称之为“40年来晶体管设计领域的重大改进”。　　然而，在今年初英特尔首次正式宣布使用这种“高K介质”生产45纳米处理器的时候，无论是英特尔美国总部还是中国技术人员，都一致封口不透露任何关于这种“高K介质”到底是什么物质，并称这是公司的高度商业机密。但是，在昨日45纳米处理器的中国发布会上，“高K介质”成了英特尔表现自己技术领先的皇牌，同时也正式向外界透露，这种“高K介质”是一种基于金属铪的氧化物。　　对于上述这种截然不同的态度转变，英特尔南区总经理方粤生向网易科技表示，之所以在这个时候公开“高K介质”材料，因为这是半导体行业40年来最大的突破，很可能改变半导体行业的发展步伐。“技术对于企业而言在未来的半导体行业至关重要”。尽管方粤生称不清楚过去几个月来，英特尔在“高K介质”等一系列新技术的保护上作了些什么具体的措施，但他表示，英特尔一直以来在技术专利保护方面都是做足功夫的。　　事实上，也有英特尔内部人士向网易科技透露，如果竞争对手刻意获取英特尔“高K介质”的秘密，完全可以买一个英特尔的产品拿回去做分析，“用原子放大镜就能很快地分析出来”。英特尔使用“高K介质”的消息，最早可以追溯到2003年，那个时候英特尔就已经选定了这种新的材质，并计划好45纳米制造工艺的时间表。除了英特尔以外，德州仪器也在今年宣布计划在其45纳米制程中使用名为“氮氧化铪硅（HfSiON）”的“高K介质”。　　但即便英特尔公布了“高K介质”材料的秘密，但关于金属栅极的两种金属材质，英特尔依旧把他视作商业秘密。　　　　中国大连工厂不排除使用45纳米制造工艺？　　根据英特尔45纳米处理器的量产计划，目前位于美国的两座制造工厂——俄勒冈州D1D与亚利桑那州Fab32都已经开始生产45纳米制程的处理器，明年位于美国新墨西哥州的Fab11，以及位于以色列的Fab28两家工厂也会切换至45纳米制程。但是对于2010年开始投入使用的中国大连厂到时候是否也使用45纳米制程，方粤生表示“目前还没有规划”。　　根据较早前英特尔与大连政府签订的协议，大连厂目前的规划是使用90纳米制程的，最高可以达到65纳米制程。但按照英特尔的制程升级步伐，到2009年就会推出使用32纳米制程的处理器，到2011年更是达到22纳米制程。有业内人士预测，只要能过美国政府在技术输出上设置的关卡，大连厂有可能使用45纳米制程，况且到了2010年，45纳米制程早已经不是最先进的技术了。　　对此，方粤生称，英特尔是半导体行业内为数不多集设计与制造能力于一身的厂商，英特尔之所以坚持这样的路线，是因为设计与制造密切相关，设计出很复杂、效率高的架构，但却没有能力制造出来也是白搭。英特尔设计与制造团队紧密结合在一起，能够保证“设计出来的就能够造出来，英特尔不会把制造外包”。换而言之，英特尔会继续加大自由工厂的建设，其中自然也包括中国大连工厂。“大连厂是否需要切换制程，需要到时候看实际的市场需求”，方粤生表示。