Crossbar正式进入中国存储市场
科技日报讯 3月22日，阻变式存储器（RRAM）技术领导者Crossbar公司宣布正式进军中国市场。
Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术，我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外，我们近期与中芯国际已达成合作，将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺，有望使新的应用开发受益。”
Minassian博士还表示：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为EEPROM内存，是满足这些需求的理想解决方案。”
卢伟（Dr. Wei D. Lu）博士是Crossbar的首席科学家和联合创始人,在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他也是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。
据了解，Crossbar RRAM技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者，有望赢得这一价值600亿美元的全球市场。Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据，能够将海量信息，例如250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。
凭借简单的三层结构，堆叠性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。
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