联电尔必达力成联手研发整合性芯片

6月21日上午消息，据台湾媒体报道，联电、尔必达及力成今日签署技术合作协议，三方将致力研发整合型的逻辑、内存芯片，带动电子产品的体积走向更轻薄短小，同时此举将有利联电，扩大承接来自通讯芯片大厂的订单。　　三方合作案今天在新竹联电大楼举行，由联电执行长孙世伟、尔必达社长本幸雄及力成董事长蔡笃恭共同签署，运用三维(3D)封装技术在单芯片的整合上，联电及力成发言体系均不愿透露任何细节。力成则可藉此由DRAM封装，跨足至逻辑芯片封装领域。　　自三星推出整合DRAM、储存型闪存(NAND Flash)与逻辑三大功能的单芯片之后。把逻辑芯片与内存芯片整合，已经是大势所趋。尤其在台积电、日月光与硅品，均已开发出相关整合型芯片之后，促使联电急起直追。　　业内人士表示，整合型单芯片非常具有杀伤力，因为一颗芯片的功能，可以抵三颗。而且重要的是，变成单芯片所节省下来的空间，可以让手机与笔电等可携式的装置，设计更简化，变得更轻薄，这是所有可携式产品所追求的终极目标。　　从技术的角度来看，业者说，将掀起新的封装技术革命，未来很多功能不同芯片将整合在一颗很小的芯片中，不但处理器的速度加快，内存容量更大、效能更强，将为轻薄短小的手机、笔记本电脑等移动装置，导入更新的应用。　　联电为跨足内存芯片，曾经一度与尔必达合资成立和发科技，并在苏州兴建12寸晶圆厂，导入生产先进制程的DRAM及逻辑芯片产品，造成业界极大震撼，后来此案胎死腹中。未来是否会随着双方扩大合作，重启大陆苏州厂的投资计划，引起市场瞩目。　　力成是国内DRAM封测龙头，并未跨足逻辑IC封装的领域。这次在尔必达及联电技术奥援下，力成将跨足逻辑IC的版图，为后势营运增添动能。力成预定在下月宣布导入逻辑IC大客户，今年业绩成长相当强劲。　　至于尔必达目前在台合作伙伴，包括与力晶，以及与力晶合资的瑞晶，生产DRAM ；茂德则为尔必达代工生产DRAM；其余合作伙伴还包括华邦电、华东等，共同发展利基型内存及封测；近期更打算邀请茂德等，赴四川合资设立DRAM厂。(木木)