76岁DRAM芯片发明者将获IEEE荣誉勋章

比特网(ChinaByte)6月20日消息，据媒体报道，76岁的IBM研究人员罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)将于下周四获得“电气电子工程师协会”(IEEE)发的荣誉勋章。　　登纳德在IBM工作了51年，其主要成就有两项：1960年代末发明的DRAM内存芯片和1970年代中期发表的标度理论(scaling theory)。标度理论阐述了如何不断缩小晶体管尺寸，开发更小、更快、更廉价芯片的方法。登纳德称标度理论和摩尔定律“相得益彰”。　　如果没有DRAM芯片，计算机内存的情形将与目前的硬盘和笔记本电池相似。登纳德回忆说，1960年代末，IBM大型主机主要使用磁芯存储器。磁芯存储器不但容易损坏，而且价格昂贵、速度慢，但其一个优点是具有非挥发性，即使断电后保存的数据也不会丢失。　　当时，所有其他研究人员的存储芯片原型都采用多晶体管设计，设计复杂，造价昂贵。为了解决这一问题，部分研究人员开始测试双极晶体管。但登纳德看好金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“MOSFET”)，他承认，“MOSFET确实不够先进，而且存在一些问题，但我仍然认为它非常有前途。”　　登纳德终于制造出了采用单晶体管设计的存储单元，并于1968年申请了专利，但存储芯片市场仍然是多晶体管DRAM芯片的天下，直到1970年代中期，首个采用单晶体管设计的DRAM芯片才问世。