英特尔(Intel Corp.)的晶圆代工制程进度虽然落后台积电，但专家分析，英特尔稳扎稳打，14纳米、10纳米制程今年(2016年)年底前的扩充进度都相当不错。
市场分析师在观察过英特尔各大半导体材料供应商的生产数据后指出，英特尔正在持续减少新墨西哥州Fab 11X厂、亚利桑那州Fab 32厂的产能，而以色列的Fab 28则预备要在明年初导入10纳米制程。
报告并称，位于奥勒冈、亚利桑那和爱尔兰的三座高产能厂房，14纳米制程的产能还在持续增加中，至于Fab 11X厂的老旧制程则明显降低。
英特尔才在9月发布采用14纳米制程、“Kaby Lake”架构的第七代Core系列处理器，最近还预测7-9月当季营收有望成长15%，以此来看，英特尔在资料中心/物联网(IoT)/存储器的长期发展依旧相当不错。
先前有外资指出，台积电的晶圆代工能力，大约比英特尔领先一年。
之前，有美系外资发布研究报告指出，台积电在技术、处理ARM制程的能力、晶圆产能、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面，都比英特尔来得强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都较佳，但晶圆代工能力却落后微处理器制造技术至少两年，因此大概比台积电晚了一年左右。也就是说，英特尔短期内难以对台积电产生实质威胁。
相较之下，台积电的10纳米、7纳米制程技术虽落后英特尔，但台积电比英特尔提前1-2年跨入7纳米制程，可借此缩短两家公司的差距。台积电在独家封装技术“整合型扇出型封装”(integrated fan-out，InFO)的协助下，有望在2017年、2018年霸占10纳米和7纳米晶圆代工市场。
WCCFtech 9月25日报道，台积电研发单位已在内部会议中，揭露未来几年的最新研发蓝图，根据几名资深高层的说法，该公司今年底就会转换至10纳米，7纳米则会在明年试产、估计明年4月就可接单，而16纳米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也将在今年导入。7纳米制程可大幅提升省电效能(时脉约3.8Ghz、核心电压(vcore)达1V)，临界电压(threshold voltage)最低可达0.4V，适用温度约为150度。
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