SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
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一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
东芝、IBM和AMD三家公司共同宣布，他们已经使用High-K金属栅极材料，合作开发出了全球最小的SRAM单元，基于FinFET鳍式场效应管结构，面积仅有0.128平方微米。
在此之前，全球最小的SRAM单元面积约为0.274平方微米，而三家公司利用FinFET的立体结构优势，将SRAM的体积缩减了一半以上，达到0.128平方微米。三家公司在美国旧金山当地时间12月16日举行的2008国际电子设备会议上，共同宣布了这项成果。
在通常的平面结构下，半导体厂商为缩小SRAM单元体积，往往采用调整掺杂成分的方式实现。但这种方式可能会影响SRAM工作的稳定性，而在采用22nm甚至更新制程时，问题会更加突出。FinFET立体结构于是应运而生，解决了摆在进一步提高SRAM元件密度道路上的一大障碍。
此次为制造出全球最小的FinFET SRAM，三家公司对制造工艺进行了精细的改进，采用了High-K金属栅极技术，并对掺杂和去除工艺进行了调整。另外，他们还对未来若使用FinFET结构制造更小的SRAM效果进行了考察。根据他们的模拟，采用不掺杂FinFET结构制造的SRAM半导体特性偏差值改善了28%。而未来若使用22nm甚至更高工艺制造出面积为0.063平方微米的FinFET SRAM，在稳定性方面也将远远优于平面结构。