韩企全球首造72层3D NAND芯片 下半年或量产

据韩联社4月10日报道，韩国半导体企业SK海力士当天宣布，研发出全球首款256Gb的第4代72层3D NAND Flash，预计2017年下半年量产。

NAND Flash闪存供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正不断强化3D堆叠设计，提升NAND Flash的储存密度。虽然韩国三星电子和日本东芝已量产3D NAND Flash，但仅堆叠64层，而SK海力士此次研发出的3D NAND Flash达到72层，这3家公司NAND Flash的容量相同，均为256Gb。

SK海力士从2016年第2季度起量产36层3D NAND Flash(128Gb)、同年11月开始量产48层3D NAND Flash(256Gb)。该公司一位负责人表示，成功研发出72层3D NAND Flash，意味着SK海力士已掌握行业内最顶尖技术。

由人工智能、大数据等信息科技引领的第四次工业革命方兴未艾，3D NAND Flash的需求将迎井喷式增长。韩国市场调查机构Gartner公布的数据显示，2017年全球NAND Flash市场规模将达465亿美元，到了2021年，其规模有望达到565亿美元。

本文转自d1net（转载）

时间： 2024-09-20 14:40:19

韩企全球首造72层3D NAND芯片 下半年或量产的相关文章

海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%

韩国海力士公司目前宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND,容量为256Gb,仍为TLC. 据了解,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加30%.同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍,读写性能增20%. 海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产,以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求.        本文转自d1net(转载)

SanDisk闪迪发布全球首款48层3D NAND芯片

   全球领先的闪存存储解决方案提供商SanDisk闪迪公司(纳斯达克交易代码:SNDK)今日发布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片,并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线. SanDisk闪迪公司执行副总裁.主管存储技术的Siva Sivaram博士表示:"我们很高兴地宣布我们首款量产3D NAND芯片的发布.它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片,采用我们业内领先的48层BiCS技术1开发,展现了SanDisk闪迪在X3技

速度再涨2成 海力士发布首款72层3D闪存

去年11月,SK海力士正式推出了自家首颗48层3D NAND闪存芯片,标志着3D NAND技术的一次飞跃,但时隔5个月,海力士再次打破纪录,推出了世界首款基于TLC阵列的72层3D NAND芯片,超过三星.美光及东芝新一代64层3D NAND闪存. 相比于海力士之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加了30%.此外,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍,读写性能剧增20%! 海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下

西数开始生产首款512GB 64层3D NAND芯片

   日前,西部数据宣布其新型512GB,64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产,该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量).并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产.是不是有些似曾相识,我们倒回2016年7月,西数宣称开始对采用其BiCS3技术的64层3D NAND进行试生产.那么时至2017年,两者之间有何不同? 2016年的芯片容量为256GB,今年发布的芯片容量是它的两倍.西数早期的BiCS2 3D NAND芯片,表面积为105平方毫米,48层,2

首个64层3D NAND闪存技术出现

256GB 3位元型芯片是目前行业最小芯片 西部数据公司今日宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3,具有64层垂直存储功能.BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发,初步的闪存容量为256GB,且在单芯片上的容量最高可达0.5TB.目前,西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产,预计今年晚些时候完成初产.公司计划在2017年上半年开始商业化量产. 西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示:"在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术,将增强

富士通展示全球首款裸眼3D电脑 下月上市

这款Esprimo FH99/CM电脑属于富士通最新FMV电脑系列,该电脑的http://www.aliyun.com/zixun/aggregation/32839.html">液晶显示器上安装有一块转换面板,使得用户可以在屏幕上直接欣赏3D影像.富士通计划于2月25日在日本发布这款3D台式电脑,之后将视情况在海外市场推出.此前,富士通已经推出了一款3D台式电脑,但是要求用户佩带专门眼镜才能 欣赏3D影像.富士通工程师Toshiro Ohbitsu表示:"我们即将推出的这款3D

国产32层堆栈3D闪存2019年量产 2020年赶超国际

本文经超能网授权转载,其它媒体转载请经超能网同意. NAND闪存芯片被三星.东芝.SK Hynix.美光.Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购.合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立.紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司. 配图 长江存储科技前身是武汉新芯公司,该公司去年联合湖北省政

海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone

苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片.这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%. 海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片.之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产.因为层数更多,利用现有的生产线,产能可以提升 30%.海力士将在今年下

追赶三星 东芝斥资再建3D NAND闪存工厂

日前,东芝正式宣布在日本四日市新建工厂,用来扩大生产其专有的3D NAND Flash--BiCS FLASH.东芝希望通过开发最新的BiCS FLASH和新一代的存储器扩大其存储业务,积极响应市场需求,并扩充投资,提升其产品竞争力. 东芝在2016年3月就曾表示要建造一个新的BiCS FLASH工厂,并计划在未来3年内投资额达8600亿日元,其中包括建新3D NAND工厂,更新现有设备等,现在终于给出了新工厂建设的时间表. 东芝表示,预计将在2017年2月开始动工新建专用于生产3D NAND