SanDisk研发32nm工艺最小尺寸NAND闪存

     在国际固态电路会议ISSCC 2009上，Intel拿出了32nm Westmere处理器，SanDisk也同样带来了32nm工艺，只不过会用在NAND闪存上。

SanDisk宣布与东芝合作研发32nm MLC NAND闪存存储技术，生产32Gb 3bit/cell(X3)闪存芯片，可广泛用于高速存储卡和固态硬盘等产品。

SanDisk的第一代X3技术是在一年半前的56nm工艺上实现的，现在43nm工艺上的是第二代，即将配合32nm的则是第三代技术。

SanDisk称，规划中的32nm 32Gb X3芯片将是最小尺寸的NAND闪存核心，面积仅仅113平方毫米，同时存储密度也是最高的，能在相似的核心面积上提供两倍于43nm MicroSD芯片的容量，另外借助SanDisk的专利技术All-Bit-Line，能有效确保足够的写入性能。

SanDisk预计将在今年下半年开始投产这种32nm 32Gb X3闪存。

 

 作者：上方文Q

来源：51CTO

时间： 2024-09-20 09:06:23

SanDisk研发32nm工艺最小尺寸NAND闪存的相关文章

英特尔与美光科技将合推25纳米NAND闪存

2月2日消息,据国外媒体报道,英特尔公司与美国美光科技(Micron)有望在近日合作推出全球首款25纳米的NAND闪存. 根据英特尔公司与美国美光科技对外发布的讯息,这种25纳米.容量达到8GB的NAND闪存正在处于抽样试验阶段,有望在2010年下半年投入大规模生产. 34纳米的NAND闪存技术已经于2008年问世,这次推出的25纳米的NAND闪存是世界上现今最小的NAND闪存,与2008年问世的NAND闪存相比在技术上已经有很大改进. 这种最新的处理芯片可以在单一的NAND设备上设置8GB的存

NAND闪存的现状与未来

  NAND闪存在过去的一年中历经重大变革.闪存技术需要综合考虑许多方面,在生产工艺.数据完整性要求.最大写入次数等方面达成恰到好处的平衡.简单来讲,当我们刚刚踏入2016年时,原始闪存(称为2D NAND)的发展方式已经接近尽头,很难再通过精益化工艺增加单块芯片所支持的存储容量. 通过引入3D NAND的概念,现在的闪存单元可以堆叠在三维空间之中.在相对轻松的工艺要求下,将单块芯片的容量提升48倍,从而可以在大批量生产过程中降低多达4倍的成本.容量的增加与价格的下降比率基于这样的基础:3D N

NAND闪存：寿命问题终成桎梏

  在过去的三年中,咨询公司以及一些业界机构一直都对NAND闪存能否在一段时间内持续处理大量写入操作持有怀疑态度,而这也就是我们一直所说的NAND写入的限制问题,而这些疑问最终则引起了人们对NAND闪存技术可靠性.成本和耐用性等方面的疑问,尤其是NAND闪存关乎着固态硬盘技术的发展. 但问题是,写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么?在作为闪存最大的市场--手机和数字音乐播放器等消费市场方面这并不是一个主要问题,但是,随着NAND闪存进入企业级市场问题就不一样了,随着NAND闪存

东芝宣布NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已正式开工建设

&http://www.aliyun.com/zixun/aggregation/37954.html">nbsp;   据国外媒体报道,东芝和SanDisk今日宣布了一项新的合资协议:在日本四日市建立先进的NAND闪存芯片工厂.目前,市场对NAND Flash芯片需求日益增加,此合资协议意在保持领先的出货量.该芯片能够储存音乐,照片和其它数字数据. 新工厂由东芝经营,SanDisk为生产设备提供部分资金.两家公司将分享该工厂的产量.两家公司已经在一些相似的合资协议下合作了10年,

长江存储年底提供自研32层堆叠3D NAND闪存样品

据业内消息称,紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)正在规划开发自己的DRAM内存制造技术,而且可能直奔当今世界最先进的20/18nm工艺. 长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的,并邀请了台湾地区华亚科技董事长高启全(Charles Kau)加盟,出任全球执行副总裁. 据高启全披露,长江存储致力于开发自己的存储芯片,除了3D NAND闪存之外,还组建了500人的研发团队,攻关DRAM内存制造技术. 同时,长江存储还将继续与好伙伴美光合作,互助互利,这对于其实现技术突破也

技术成熟、易于扩展是英特尔 3D NAND 闪存技术两大优势

在10月14日的英特尔固态盘媒体沟通会上,英特尔公司非易失性存储器(NVM)解决方案事业部客户端固态盘战略规划及市场总监 David T Lundell出席介绍了英特尔固态盘的发展现状并重点介绍了英特尔新发布的固态盘600p系列产品的技术和成本优势. 英特尔的固态盘的战略是希望为用户提供一个延迟和成本平衡的计算存储单元.英特尔有两个非常重要的技术,第一个技术是Optane技术,第二个是3D NAND技术,Optane技术可以非常快的提高固态盘性能,从而使性能达到内存运算的级别,它是更高效.更快速

Computex 2017：浦科特发布M9Pe硬盘，64层堆栈3D NAND闪存

浦科特公司下午举行发布会,推出了新一代高性能M9Pe SSD硬盘,有M.2及PCI-E两种版本,两个系列的硬盘都使用了黑色散热器,颜值不错,而且配备RGB LED灯.值得注意的是,M9Pe系列硬盘使用的是东芝64层堆栈的3D NAND闪存,这是东芝.西数之外首次见到第三方厂商使用东芝新一代3D NAND闪存. M.2和PCI-E版M9Pe硬盘 浦科特目前的M8Pe系列SSD硬盘外壳是金属拉丝工艺,新发的M9Pe系列有所不同,看起来更圆滑一些,不过配色.颜值依然很高,PCI-E版本还支持RG LE

首个64层3D NAND闪存技术出现

256GB 3位元型芯片是目前行业最小芯片 西部数据公司今日宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3,具有64层垂直存储功能.BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发,初步的闪存容量为256GB,且在单芯片上的容量最高可达0.5TB.目前,西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产,预计今年晚些时候完成初产.公司计划在2017年上半年开始商业化量产. 西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示:"在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术,将增强

NAND闪存与三星占据半壁江山

据iSuppli市调的公司第一季度的NAND闪存市场调查报告显示到,三星和东芝两家公司,占据了NAND闪存市场的绝大部分的份额,其中三星的营收份额是最高的,高达38.5%,东芝则位居第二有33.8%左右.而两者结合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额.如果按美元计算的话,今年的第一季度的NAND闪存市场总值,高达到43.6亿美元,同比去年第四季度的NAND闪存市场总值提升了0.6%.由于季节性等因素的影响,每年在第一季度的闪存市场一般都会比,上一年的最后一季度有所减少.而今年则反其道