全球存储模组大厂金士顿预估，今年因为主要DRAM大厂没有增产计划，全年DRAM面临缺货窘境；群联董事长潘健成也强调，储存型快闪存储（NAND Flash）因为进入3D世代，制程良率无法提升，预估将缺货一整年。
由于DRAM和NAND Flash是智能手机和个人电脑必备的电子元件，两项产品同步缺货，恐将冲击手机和个人电脑，甚至消费性电子产品下季出货表现，尤其对二线厂冲击会更大。
金士顿是全球存储模组龙头，也是全球DRAM和NAND芯片最大用户，针对今年存储缺货提出预警，具指标意义。
台湾金士顿董事长陈建华日前出席群联竹南三厂上梁典礼时，针对DRAM市场提出最新分析。他强调，目前主要DRAM大厂都没有增产计划，而且将产能转移生产3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。
根据了解，三星是这波DRAM价格上涨主要推手，目前三星逾七成产能已被苹果、自家手机和大陆OPPO和Vivo包走，能供应其他品牌或个人电脑应用有限，加上产能转进成长最快速的3D NAND Flash，虽然其他存储厂也跟进，但制程良率都没有三星顺利，让三星更有能力主导价格调升，弥补其Note 7手机电池出包全面停产的巨额损失。
除DRAM供需失衡外，相关印刷电路板材料短缺，也让DRAM供应模组供货受牵制，让DRAM缺货问题更为严重。
虽然金士顿不愿评论今年DRAM涨幅，但稍早集邦出具报告，提出首季标准型DRAM涨幅逾30%，伺服器用DRAM涨幅也在25%~30%，行动用DRAM涨幅约15%~20 %，利基型存储约10~15%，尤其标准型和伺服器用DRAM，在淡季飙出历年单季最大涨幅，凸显全球DRAM供需失衡，通路商和品牌代工厂提早在淡季备货。
过去以拥有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地说，群联目前有50多亿元的NAND Flash库存，但只要他一开卖，这些货应该很快在一个月内卖光，凸显缺货问题已在市场散开，并开始抢货。
潘健成证实，此时有很多抢货的「假性需求」出现，他坦承缺货情况出乎他预料。
他分析，因印度、印尼等新兴市场对于手机选购需求，从功能型手机转为低阶智能手机，低阶智能手机在储存存储上皆采用NAND Flash，虽然容量不高，但他们一拿到手就大量拍照，然后上传云端，推升伺服器对NAND芯片需求爆增。
产业链相关企业将持续受益
DRAM和储存型快闪存储（NAND Flash）双涨，法人预估，台厂包括包括南亚科、华邦电和力晶等虽转进利基型DRAM市场，可望同步沾光；创见、威刚、宇瞻、群联等模组厂，营运同现活力，整体族群将迎接全面获利的一年。
存储业者表示，近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，行动式DRAM约15~20%，伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙，让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身，股价也大爆发，尤其刚并完华亚科的美光，股价大涨1.3倍，格外受瞩目。
随着DRAM大厂股价飙涨，法人看好近期买盘将转移至南亚科、华邦电、旺宏、力晶等公司；相关存储设计公司，包括爱普、晶豪科和钰创的成长备受瞩目。
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