美国投资银行Piper Jaffray分析师基尼·蒙斯特(Gene Munster)周四发布投资报告称,苹果最近投资的39亿美元采购费用可能用于为iPhone和iMac采购屏幕,而且标志着苹果将开发最大50英寸的电视机。蒙斯特在报告中称,他最近从亚洲获得的消息表明,苹果的39亿美元采购费是为了确保多款产品的屏幕供应。他表示,苹果应该正在投资生产设施,并确保液晶屏的供应。他认为,这笔投资进一步证明苹果有意进军电视市场。蒙斯特多年以来一直相信,苹果最早将于2012年底推出自有品牌的高清电视。“尽管苹果仍将客厅视为一项‘业余爱好’,但随着互联网电视的激增,苹果的一体电视也将浮出水面,因此我们仍然相信该公司将全力进军电视市场。”他说。蒙斯特估计,2012年全球平板电视销量将达到2.2亿台,其中48%(即1.06亿台)都将是互联网电视。他预计,苹果2012年将出售140万台电视,为其贡献25亿美元的收入,约占其当年总收入的2%。蒙斯特认为,电视业务到2013年和2014年将分别为苹果带来40亿和60亿美元的收入。而苹果的这笔零部件投资可以帮助该公司确保最大50英寸面板的供应。蒙斯特还指出,苹果已经在产品营销策略中突出了该公司的显示技术,包括iPhone 4的Retina屏幕以及27英寸iMac的LED背光显示器。他认为,高端显示技术已经成为苹果商业战略的重要组成部分。苹果COO蒂姆·库克(Tim Cook)在上月的分析师电话会议上透露了该公司的长期零部件采购合同,并表示,目前已经为此投资了39亿美元。库克说,他感觉这些秘密交易是对苹果庞大现金储备的“极好”使用,但他拒绝披露细节信息。库克还将本次计划与2005年的投资进行了对比,彼时的苹果投入大笔资金预购闪存芯片,这一交易也帮助苹果获得了足够的NAND闪存,保证了iPhone、iPad和MacBook Air等设备的供给。
帮助苹果获得了足够的NAND闪存,保证了iPhone、iPad和MacBook Air等设备的供给
时间: 2024-10-24 18:49:15
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苹果将NAND闪存将应用到新一代MacBook Pro
近日,据国外媒体报道,巴克莱银行(Barclays)本瑞特兹(Ben Reitzes)在写给投资者的备忘录中表示"苹果固态硬盘.闪存的高使用率及云存储服务的不断深化,使得消费者对于闪存存储介质的需求不断加大."本瑞特兹日前分析认为,鉴于苹果在使用NAND闪存上获得的成功,该公司有可能将此应用到新一代MacBook Pro产线上,这就意味着苹果将加速苹果在硬盘存储和PC领域的发展. 目前,闪存.固态硬盘这些高级存储介质的最大瓶颈在于价格居高不下,这使得许多消费者对此望而却步.但苹果的Ma
NAND闪存与三星占据半壁江山
据iSuppli市调的公司第一季度的NAND闪存市场调查报告显示到,三星和东芝两家公司,占据了NAND闪存市场的绝大部分的份额,其中三星的营收份额是最高的,高达38.5%,东芝则位居第二有33.8%左右.而两者结合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额.如果按美元计算的话,今年的第一季度的NAND闪存市场总值,高达到43.6亿美元,同比去年第四季度的NAND闪存市场总值提升了0.6%.由于季节性等因素的影响,每年在第一季度的闪存市场一般都会比,上一年的最后一季度有所减少.而今年则反其道
美光副总裁:平板电脑支撑NAND闪存需求
新浪科技讯 北京时间8月10日午间消息,美光NAND解决方案事业部副总裁格伦·霍克(Glen Hawk)周二表示,尽管全球经济存在 诸多不确定性,但由于平板电脑和固态硬盘(SSD)厂商对NAND闪存的需求保持强劲,该公司NAND闪存订单量不会受到影响.霍克表示,标普上周五下调美国主权信用评级以及欧洲债务危机升级是否会抑制市场需求目前尚不得而知.他当天在接受路透社采访时说:"我们发现过去一周市场需求未受到任何影响,但消费者 的确会对支出趋于保守,我们对这一点深信不疑."由于美国失业率居高
日本全球40%的NAND闪存供应和15%的DRAM内存芯片供应量
日本地震导致多家电子巨头的生产工厂关闭,供货短缺担忧使得用于个人电脑和手机的存储芯片价格全面上扬.根据台湾调研公司集邦科技发布的统计数据,1Gb DDR3内存芯片价格上涨7%到1.11美元,创下了自1月27日以来的最大增幅.4Gb NAND闪存芯片的现货价格则上涨17%.DRAM内存芯片主要用于临时性存放处理器中的数据,而NAND闪存则用于存储智能手机.MP3和数码相机中的音乐.图片存储.投资银行SG Corporate & Investment Bank分析师安迪·铂金斯(Andy Perki
SanDisk研发32nm工艺最小尺寸NAND闪存
在国际固态电路会议ISSCC 2009上,Intel拿出了32nm Westmere处理器,SanDisk也同样带来了32nm工艺,只不过会用在NAND闪存上. SanDisk宣布与东芝合作研发32nm MLC NAND闪存存储技术,生产32Gb 3bit/cell(X3)闪存芯片,可广泛用于高速存储卡和固态硬盘等产品. SanDisk的第一代X3技术是在一年半前的56nm工艺上实现的,现在43nm工艺上的是第二代,即将配合32nm的则是第三代技术. SanDisk称,规划中的32nm
技术成熟、易于扩展是英特尔 3D NAND 闪存技术两大优势
在10月14日的英特尔固态盘媒体沟通会上,英特尔公司非易失性存储器(NVM)解决方案事业部客户端固态盘战略规划及市场总监 David T Lundell出席介绍了英特尔固态盘的发展现状并重点介绍了英特尔新发布的固态盘600p系列产品的技术和成本优势. 英特尔的固态盘的战略是希望为用户提供一个延迟和成本平衡的计算存储单元.英特尔有两个非常重要的技术,第一个技术是Optane技术,第二个是3D NAND技术,Optane技术可以非常快的提高固态盘性能,从而使性能达到内存运算的级别,它是更高效.更快速
3D XPoint——是NAND闪存杀手还是DRAM的替代品?
2015年,作为自NAND闪存以来的首项新型非易失性,规模化存储技术,3D XPoint由开发伙伴英特尔和美光首次发布,当时称其速度和耐久性都是NAND闪存的1000倍,引起巨大轰动. 但后来证实这个性能比只是理论上的,3D XPoint的实际测试结果是比NAND的速度快10倍,后者需要在新数据写入之前擦除现有数据.此外,这个新的固态存储器可能因为价格约为DRAM的一半(虽然比NAND要贵)而在数据中心如鱼得水. 与此同时,随着交易型数据的增长,云计算,数据分析和新一代工作负载将需要更高的性能存
NAND闪存攻击可毁掉固态硬盘数据
本文讲的是NAND闪存攻击可毁掉固态硬盘数据,固态硬盘(SSD)无力对抗Rowhammer类型的攻击,可遭遇数据破坏和闪存寿命缩短. 研究人员发现了一种破坏SSD上数据的方法,令人回想起针对RAM的Rowhammer攻击. 专家警告:该攻击攻克了确保SSD数据写入完整性的可靠措施. 本月初发布的一篇论文中,研究人员写道:"当闪存存储单元被编程时,高电压被应用到该单元上.由于闪存单元间寄生电容耦合十分贴近,闪存单元编程动作便会导致单元间的相互干扰,给邻近单元引入错误." 为降低这种已知缺
Computex 2017:浦科特发布M9Pe硬盘,64层堆栈3D NAND闪存
浦科特公司下午举行发布会,推出了新一代高性能M9Pe SSD硬盘,有M.2及PCI-E两种版本,两个系列的硬盘都使用了黑色散热器,颜值不错,而且配备RGB LED灯.值得注意的是,M9Pe系列硬盘使用的是东芝64层堆栈的3D NAND闪存,这是东芝.西数之外首次见到第三方厂商使用东芝新一代3D NAND闪存. M.2和PCI-E版M9Pe硬盘 浦科特目前的M8Pe系列SSD硬盘外壳是金属拉丝工艺,新发的M9Pe系列有所不同,看起来更圆滑一些,不过配色.颜值依然很高,PCI-E版本还支持RG LE