台积电要造第一款7nm芯片 明年下半年可投产

台积电在近日宣布将与Xilinx、ARM、Cadence Design Systems联手打造全球第一款7nm工艺的新品，他们要做的是一款CCIX(Cache Coherent Interconnect for Accelerators)加速器转速缓存互联一致性测试芯片，采用台积电7nm FinFET工艺打造，预计在明年第一季度流片。

这个测试芯片是用来展现CCIX的各项功能，正面多核心高效能ARM CPU能通过互联架构与芯片外的FPGA加速器同步工作，同时台积电也用它来测试自己的7nm工艺。这颗芯片将采用ARM v8.2 with DynamIQ核心，使用CMN-600总线与芯片内部其他设备互联，Cadence公司将提供CCIX、DDR4内存控制器、PCI-E 3.0/4.0控制器以及包括I2C、SPI、QSPI在内的周边IP以及相关的IP控制器。测试芯片通过CCIX芯片对芯片互联一致协定，可连接Xilinx的16nm Virtex UltraScale+ FPGA。

台积电的10nm工艺现在只针对手机的低功耗领域，而7nm FinFET工艺可以囊括高性能或低功耗等各种不同的需求，对台积电来说是相当重要的一个节点，第一个版本的CLN 7FF保证可以把功耗降低60%，核心面积缩小70%，到了2019年会推出融入EUV极紫外光刻的CLN 7FF+版本，进一步提升晶体管的集成度、效能与良品率。

话说这个7nm的CCIX虽说会在明年Q1流片，但是正式量产要等到2018下半年才行，所以台积电的7nm至少还得等一年才会到来。

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