近期英特尔透露了其多年来在非易失性数据存储领域内可以说是最重大技术——3D XPoint存储器(Optane)的发布时间线。由以下这张台湾省科技新闻网站benchlife.info贴出的幻灯片显示该产品线将在今年末推出，并可能搭配Kaby Lake处理器平台上线。
Intel Optane 3D XPoint时间线
根据上图可知，Optane可能会首次出现在一些SSD生产线中，从2016年末的Mansion Beach产品开始，紧接着Brighton Beach和Stony Beach。
Mansion Beach SSD产品线将采用NVMe PCIe Gen 3 x4配置(有4个I/O通道)，允许其直接放置在系统主板上。
而Stony Beach与Mansion Beach几乎是前后脚，Stony Beach将作为一款PCIe/NVMe SSD首次发布，并作为一项服务器加速技术被推向市场,也许如当年 OCZ Synapse Cache SSD或类似产品，旨在辅助一般硬盘，改善其读写响应时间。
2017年第一季度某时将推出Brighten Beach并以一款采用PCIe 3.0 x2配置的较低端产品呈现。
Brighten Beach之后，Carson Beach会推出一款支持PCIe 3.0 x4的M.2卡，同时，球栅阵列(BGA)将直接联接到计算机主板，并充当一个第二代英特尔的“系统加速器”。
2017年，除了第二代PCIe和SATA 3D NAND闪存产品之外，英特尔还计划了一次Mansion Beach升级。
大概一年前，英特尔和美光公司联合推出了Optane。
3D Xpoint对比（各项技术的延迟检测——左向右依次为毫秒，微秒，纳秒）
尽管英特尔和美光将3D XPoint RAM视为“1989年以来，首款新型存储器”，但提及浮栅NAND，大多数专家认为它是一个基于128Gbit芯片的电阻式RAM(ReRAM)存储器。
两家公司称其对比NAND闪存速度快1000倍，具有1000倍的耐久性即可承受约100万次擦写周期，这代表该款新型存储器可永久使用。
从根本上说，Optane技术是一项海量存储级内存技术，虽然速度比DRAM慢，但投入生产却比DRAM要便宜，还比NAND速度快。另外其具有非易失性，断电情况下数据可保持完整，这点跟NAND闪存一样。
相比之下，现有NAND闪存只能承受3000到10000次擦写周期。采用耗损平衡和纠错软件，周期数虽然可以得到改善，但跟100000次擦写周期仍相去甚远。
所以两家公司就3D XPoint宣称，它是25年来的首款新型存储器类型。按照研究分析师的说法，英特尔和美光绝没有夸大其词。3D XPoint是居于DRAM和NAND闪存之间的甜蜜点，某些情况下，在一些企业数据中心能够取代这两者，然后最终，在消费者台式机和笔记本方面取代这两者。
3D XPoint技术是一款由英特尔和美光联合推出的新型非易失性存储器，依靠大量材料的电阻变化获取非易失性。它利用大量材料切换电阻状态，而不是依赖可变丝状体实现生产。存储单元和选择器内的架构和独特材料相结合使3D XPoint可实现更高地密度，更强地性能和更大耐久性。
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