采用20纳米工艺生产的ARM芯片最快将于明年底发布

  ARM处理器部门主管西蒙·赛加斯(SimonSegars)周一在Computex大展上表示,采用20纳米工艺生产的ARM芯片最快将于明年底发布。赛加斯说:“整个行业都推进下一代技术,只要在经济和技术上可行,便会立刻推出。”

  赛加斯说:“整个行业都推进下一代技术,只要在经济和技术上可行,便会立刻推出。”

  生产工艺的尺寸越小,芯片中使用的晶体管尺寸越小,数量越少,从而可以延长电池寿命或提升设备性能。

  ARM并不自主生产芯片,而是将芯片设计授权给高通、德州仪器和Nvidia等企业,这些企业随后再将生产外包给台积电等代工厂商。

时间: 2024-10-26 22:08:47

采用20纳米工艺生产的ARM芯片最快将于明年底发布的相关文章

三星代工高通骁龙820芯片 采用14纳米工艺

1月14日消息,据路透社报道,三星电子周四表示,为将量产高通新的骁龙820移动芯片.这对该韩国科技巨头代工业务将是一次大的推动.三星称,高通骁龙820芯片采用14纳米工艺生产.三星自家的Exynos芯片也采用了14纳米技术. 三星称,他们将在上半年开始生产.但该公司未透露合同的金额.这家全球最大的内存制造商一直在努力增长处理器业务,使营收多元化.随着苹果和华为等对手夺走智能手机市场份额并压低了利润率,三星日益依赖零部件业务. 三星表示,采用14纳米工艺可使芯片能耗降低15%,处理速度提高15%.

三星公布首款可穿戴设备芯片 采用14纳米工艺

Exynos7 Dual 7270可穿戴设备芯片 北京时间10月11日消息,据外媒报道,三星公布了一款面向可穿戴设备的芯片Exynos7 Dual 7270--首款采用14纳米的可穿戴设备应用处理器. 三星2015年就开始生产14纳米智能手机芯片.应用在国际版三星GalaxyS6.S6 edge和Galaxy Note5中的Exynos 7420,是三星首款14纳米芯片,现在三星也将利用先进的14纳米工艺生产可穿戴设备芯片. Exynos 7270集成有2个ARM CortexA53内核--在效

AMD公司CTO谈7纳米工艺芯片堆栈技术

AMD公司首席技术官表示,AMD是众多芯片设计厂商中比较早获得7nm工艺技术之一的公司.同时,他亦呼吁提供晶圆级扇出型封装速度,并在EDA软件中实现更为广泛地使用并行性.  Papermaster曾在IBM公司工作26年,并分别在思科与苹果公司的芯片管理小组拥有短暂的工作经历.在此之后,他在AMD公司度过了6年时光. 在接受采访时,Mark Papermaster表示为了能够加速完成7纳米制程升级,"我们不得不在代工厂与设计团队中投入双倍的努力--据我所知,这是几代产品中最难完成的提升,&quo

英特尔将批量生产3D晶体管芯片耗电量大幅降低

被称为三栅极的世界上首款3-D晶体管进入生产技术阶段左边为32纳米平面晶体管,右边为22纳米 3-D三栅极晶体管,示意电流通过的样子 北京时间5月5日上午消息,英特尔周三在旧金山展示了一项全新的3D晶体管技术,可以在性能不变的情况下,将处理器能耗降低一半. 英特尔宣布其研发的3D晶体管将首次投入批量生产,并将用于英特尔代号为Ivy Bridge的22纳米处理器.采用该技术的产品有望于2012年初发布. 据介绍,英特尔的3D晶体管使得芯片能够在更低的电压下运行,并进一步减少漏电量,与之前最先进的晶

ARM芯片进军数据中心市场的困境和突围

[天极网服务器频道3月21日消息]随着AMD首款64位ARM服务器处理器的临近,ARM将为数据中心带来全新的轻量化应用体验.移动互联技术.云计算快速发展,负载变得越来越复杂,PC.笔记本.平板.智能手机等各式各样的终端设备每天都在产生着大量的不同类型的数据.随之而来的是几乎所有的这些数据都要进入数据中心,这给数据中心的响应能力.空间.能耗带来前所未有的挑战. 实际上这些负载并不复杂,比如Web.搜索.大数据分析等,但如果大量的轻负载并发,数据中心所需要处理的负载就非常惊人了.于是,大数据时代的数

业界最尖端 三星电子量产20纳米4Gb DDR3

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb http://www.aliyun.com/zixun/aggregation/29796.html">DDR3 DRAM. 三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,开创了内存存储器制造技术的新纪元.NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构成,而DRAM则由一个电容器和一个晶体管串联构成,因此后者更难实现制程技术的微细化.然而,三星电子通

Lyric将推新型处理器英特尔或AMD的x86芯片更快

Lyric 获得了美国国防部高级研究计划局和http://www.aliyun.com/zixun/aggregation/17477.html">风险投资公司的投资,8月17日公布了首款LEC芯片.LEC芯片采用65纳米工艺,由台积电代工,有助于缓解闪存芯片的纠错问题.目前,在从闪存芯片中读取消息时,每1000位信息中就会有1位出错.随着存储密度的提高,错误率也会随之提高,纠错电路将日趋复杂.昂贵.与传统闪存芯片的纠错电路相比,LEC尺寸小30倍,效能比高12倍,速度也更快. Lyric

台积电明年上半年试产7纳米工艺芯片 2018年量产

北京时间4月19日消息,据台湾<电子时报>报道,台积电董事长张忠谋今天在一封致股东报告书中称,公司计划在明年上半年试产7纳米工艺. 台积电联席CEO刘德音在4月14日举行的投资者大会上表示,超过20家客户已开始洽谈7纳米工艺代工事宜,预计2017年有15家客户完成产品设计定案(tape out).刘德音称,台积电计划在2018年上半年实现7纳米工艺的量产. 据刘德音介绍,7纳米技术使用的设备95%与10纳米相同,台积电的7纳米技术开发进展顺利."7纳米工艺是10纳米工艺的进一步延伸,

英特尔或将于2022年推出5纳米工艺芯片

据外媒Liliputing报道,英特尔的"Tick-Tock"节奏似乎要减慢了,继Broadwell和Skylake之后,该公司还要推出一款14纳米的芯片. 据悉,英特尔下一代芯片Kaby Lake对微架构进行了升级,但仍然会是14纳米工艺.这意味着,英特尔首款10纳米芯片要到2017年才会面世.届时,该公司将推出三款10纳米芯片. 至于7纳米芯片,则要等到2020年.之后,英特尔将回归"Tick-Tock"模式,预计在2022年推出5纳米工艺芯片. 分析指出,英特