在即将过去的2016年，半导体行业风起云涌，经历多次并购案的半导体行业依旧活力十足，无论是谁都信心满满的期待着来年。高通并购恩智浦、软银收购ARM等事件都足够让人瞠目，除了半导体代工和架构设计之外，DRAM市场和NAND市场的剧情同样跌宕起伏。在6月份，三星由于位于西安的工厂外变电站爆炸事故，造成设备受损，全球的3D NAND芯片出现了供货紧张的问题。
市场需求剧增，产能不足
而在笔者了解到的信息中，全球最大的固态硬盘制造商建兴在今年9月份就开始出现供不应求的状况，而且一直持续到年底。2016年的NAND Flash市场除了缺货之外还是缺货，这让很多人对NAND产能产生了极大的疑问，难道就没有产商考虑增加产能吗?其实在今年年初，三星确实有考虑要加大NAND Flash的产能，不过在当时，手机市场处于饱和状态，而消费级PC市场需求也并不大，三星再三权衡之后选择了停止扩建计划。在下半年手机市场的出货趋于稳定的状态下，固态硬盘需求增加，加之三星西安工厂外变压器爆炸影响，内存和固态硬盘零售价出现了大幅度上扬的情况。其中内存涨幅将近50%，固态硬盘同样涨价不少。
SK海力士
NAND Flash的需求不断扩大，美光公司执行长德肯先生对此信心满满，他对2017年的DRAM、NAND市场非常看好。除了市场需求增大之外，美光的另外一个好消息就是他们的3D NAND闪存在今年底开始大量投产了。美光第一代3D NAND在成本符合美光的预期;而第二代也达到了64层堆栈，在近期大规模生产，美光能否夺回失去的市场就让我们拭目以待吧。在十一月份，三星向其客户展示了10nm DRAM芯片，在本月中，SK海力士有了回应，SK海力士表示计划在明年开始量产10nm制程的DRAM芯片，业界内有消息称SK海力士的10nm晶圆已经完成制样，正在进行可靠性认证。
虽然在下半年，各大厂商不断的加强新技术研发以及将产能开足，不过依旧难以缓解NAND芯片和DRAM芯片的供需，2017年还将会持续处于紧张的状态。存储器行业研究公司集邦科技的研究报告显示，2017年的NAND Flash产能将会增加6%，不过价格会处于稳步上扬的状态。价格上扬的主要原因来自于工艺技术的更新，2D-NAND芯片会在2017年降低占比，随后慢慢退出市场;而64层的3D-NAND要进入到市场还需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND闪存颗粒的还是处于供不应求状态。
未来产业的方向
在10月份，知名HDD厂商西部数据用190亿美元收购了固态硬盘制造商闪迪，意在开拓固态硬盘市场中占得先机。而希捷也不甘落后，同样来自于业内人士爆料，希捷与SK海力士将会共同成立一家合资公司，目的同样是为了抢滩快速增长的固态硬盘市场，其中希捷占股49%，剩余的51% 则是由SK海力士掌握。海力士在芯片上的研发实力强劲，不过在消费市场上的占有率却一直非常低，而希捷则处于转型的阵痛，HDD硬盘市场持续萎缩，希捷急于寻求突破，双方合作本身就是优势互补，增强竞争力。
武汉新芯
前面提到三星裁撤建厂计划的另外一个重要原因：就是国内半导体产业的来势汹汹。在今年6月份，紫光集团收购武汉新芯并成立长江存储之后，国内的DRAM、NAND芯片正在用极快的速度追赶世界先进水平，紫光集团就是国内最好的代言人。
国内如此看重半导体行业的最重要原因在于智能硬件发展速度极快，国内每年的半导体芯片进口金额已经远超原油，因此国家对与半导体企业的扶持力度极大。国际半导体行业协会在本月中旬发布的预测报告显示，截止至2020年，全球将会有62座晶圆厂陆续投入生产，其中国内就有26座，而美国和台湾则分别是10座和9座。
笔者感言：在经历了2016年的起起伏伏之后，DRAM颗粒在2017年将会继续向10~20nm制程转进，晶圆的生产与需求将会继续处于平衡状态，而且目前的DRAM市场盈利能力比较有限，这也导致了美光、三星、SK海力士没有过多与国内厂商合作的欲望，毕竟如果再加入新的制造厂商，供过于求将会是DRAM市场进入到亏损时期。NAND芯片方面，今年下半年的缺货已经成为常态，无论是SSD亦或者eMMC/eMCP都需要面对，所以在2017年第一季度，SSD和eMMC将会继续涨价，涨幅在10%左右;目前3D-NAND芯片面临的最大问题是SK海力士和美光的良品率并不好，而2D-NAND向3D-NAND转换势必会造成2D-NAND缺货，3D-NAND供货又未能及时填补空缺造成的。
作者：佚名
来源：51CTO