10nm光刻技术！英特尔继续逼近硅原子极限

Intel今年已经开始量产14nm工艺，下一代工艺将是10nm，Intel原本计划在2015年底开始投产10nm工艺。随着半导体工艺进入10nm内，新一代EUV光刻设备也愈加重要，这还要看荷兰ASML公司的研发进度了。日前该公司公布了Q3季度财报，其中提到他们将在2016年10nm工艺节点上正式启用EUV光刻工艺，首个客户普遍认为是Intel公司。荷兰ASML公司是全球最大的半导体装备制造公司，他们两年前推出了试验型EUV光刻设备NXE:3100，量产型则是NEX:3300B，该设备每天的晶圆产能已经达到了500片，不过这个产能跟当初提到的每小时70片晶圆相差还是很多。截止到目前，总计有6台NXE:3300B设备通过了认证并出货，总订单量是11台，其中3台去年出货，5台是已经出货或者正在出货，剩下的3台预计在2015年升级到NEX:3350B型号。ASML还提到了他们正在跟一个客户合作，准备在2016年的10nm中期节点安装EUV光刻设备，这意味着两年后的10nm节点上我们会正式迎来EUV工艺，谈论了多年的技术终于开始量产了。ASML并没有公布这个客户的名字，不过业界普遍认为这是Intel公司，Intel不仅是ASML公司的大客户，也是大股东之一，2012年投资41亿美元获得了ASML公司15%的股份，对推动EUV光刻工艺也是最积极的，当然，Intel也是最有实力和财力的，首先应用EUV工艺并不意外。不过EUV工艺拖延了这么多年，Intel对此早就淡定了，此前他们表示就算没有EUV光刻工艺，他们也懂得如何在7nm工艺制造芯片，言外之意就是有EUV工艺更好，没有EUV也行的，英特尔不差这点。按照英特尔的路线图，2017年就要进步到7nm工艺，不知道在这样发展下去硅原子的物理极限怎么突破，要轮到新材料出场了么？