英特尔美光联手推出25纳米NAND存储技术

25纳米制程让单个NAND设备具有8GB存储容量，为消费电子产品带来大容量存储解决方案　　北京时间2月1日消息，英特尔和美光科技今天宣布推出世界上首个25纳米NAND存储技术，该技术能有效地增加智能手机等消费电子产品以及固态硬盘(SSD)的存储容量，并降低产品尺寸。　　NAND闪存可用于存储电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。25纳米NAND制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术，也是全球最精密的半导体技术。单个25纳米制程NAND设备的存储容量达到8GB，为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米，却能存储比光盘多10倍的数据。　　该技术由英特尔和美光共同组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies(简称IMFT)生产，通过对NAND研发的专注和投资，英特尔和美光大约每18个月将NAND的密度提升一倍，从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。　　英特尔公司副总裁兼NAND解决方案事业部总经理Tom Rampone表示：“通过持续投资于IMFT，我们不断推出领先的技术和制造工艺，开发出成本效益最高、最可靠的NAND存储产品，这将加快固态硬盘解决方案在计算设备中的广泛应用。”美光存储事业部副总裁Brian Shirley表示：“英特尔和美光凭借最先进的制程技术引领整个半导体行业发展，创造了技术上的奇迹。我们希望进一步挑战半导体尺寸上的极限。该技术可通过更高密度的媒体解决方案，为我们的客户带来巨大的效益。”　　采用25纳米技术的8GB设备现已推出样品，预计将在2010年第二季度批量生产。