据目前的报道，中国已有四家公司欲做存储器，分别是长江存储，投资240亿美元，到2020年月产能将达30万片，目标是自己研发的3DNAND闪存；另一家是泉州晋华存储器项目，投资约60亿美元，做利基型DRAM，技术来源于UMC；还有一家是合肥智聚，投资80亿美元，已于2016年6月开工，由王宁国博士执掌，计划在今年年底左右进入设备安装阶段，由于项目尚未正式公布，产品不详；最后是南京紫光，投资300亿美元。
从公布的进度看，除南京紫光没有详细计划之外，其他3家的进度似乎差异并不大，基本上都是在2018~2019年进入量产阶段。
据个人看法，可能有两个指标是看点，一个是什么时间那家公司能达成10亿美元以上的销售额；另一个是产品的市场份额。
因为从全球市场份额能看出真本事，目前我国台湾地区的DRAM约占全球总市场份额的5%。至于什么时间企业能实现赢利，这是个不可焦急的目标。
显然，长江存储受到了国家资金的支持，实力强大。然而按照中国半导体业的发展特点，依赖政府资金有它的不足之处，例如，增加了企业对政府的依附性，在关键时刻无人敢于承担责任。
对于地方政府等支持项目，它们的难度比较大。首先是变数多，涉及了太多人治的因素，而且缺乏过硬的技术以及产品特色，要它具有产业发展的胸怀，及持续不断地坚持，可能是有些困难。
中国存储器业上马的决定是十分困难的，然而如今可能有四家以上公司都欲突破，让人感觉有些“唐突“，求胜太心切，更谈不上集中兵力。但是，对照中国新兴产业的发展轨迹，这次的发展步骤似乎很相似，这样的过程在现阶段几乎不可避免。因此，半导体业者要尽可能保持冷静，要充分利用好“资本与技术”两个轮子，从理性上把技术突破放在首位，牢记产能扩充要与市场相适应。
所以，中国存储器业发展的关键时间点可能要推迟至2020年左右，现阶段尚不可预测。
观察我国台湾地区上马存储器的历程，它曾成功地在短时间内投入300亿美元，实现产能扩大。因此，对于我国大陆地区而言，成功做出存储器产品仅是个时间问题。我国台湾地区存储器产业最终不成功的原因，主要是缺乏自主技术，且总想依赖别人，这种做法证明是行不通的。
另外，存储器业的周期性起伏明显，每经过2~3年总有一段上升或者下降周期，体现在它的价格波动方面。例如，服务器用DDR432GB模组，目前每条已突破200美元大关，2017年的首季合约价平均涨幅逾25%，高容量模组涨幅更是直逼30%以上。近期，DRAM的涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，移动DRAM涨幅约15%~20%，服务器用DRAM涨幅在25%~30%。存储器市况从2016年6月触底反弹后，从最低每单位1.31美元一路走高，年底升至1.94美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储器2017年有望延续涨势。
ICInsights乐观预测，未来五年（2016~2020年），全球存储器市场的年均增长率CAGR将达7.3%，由2016年的773亿美元，增加至2020年的1099亿美元，这表明未来的存储器市场将一片光明。
所以，中国存储器业只要能赶上一波产业的上升周期，或许可能实现赢利，这显然取决于竞争实力以及足够的耐心与坚持。现阶段有多达四家公司都想突破存储器发展的难题，显然都获得成功的几率不大。
另外，中国的芯片制造业几乎都是从代工起步，如今存储器却要转变成IDM模式。这样的模式转换不是一件简单的事，因为与代工相比，IDM模式更依赖于市场以及技术快速转换的特点，对于企业来说是个全新的挑战。
中国半导体业迈向IDM模式是大势所趋，然而它的难度不可低估，因此必须有充分的思想准备及决心。
据WSTS及ICInsights提供的2014年数据，全球存储器销售额为800亿美元，而中国消耗了其中的约250亿美元，占31%。中国存储器市场巨大，未来替代的机会多，尽管这是上马存储器生产线的理由之一，但必须清醒认识到，这个市场是属于全球的，必须依靠自己的实力去占领。
中国半导体业的发展方向已定，几乎没有退路，只有努力挺进，但是要少些非市场化因素的干扰，要充分认识到半导体业的成熟可能决定于综合的因素，不仅仅是“钱”，更为关键的是产业大环境的迅速改善。因此，未来有两个方面要特别关注：一个是要“循序前进，欲速则不达”；另一个是把焦点放在“骨干企业”身上，只有集中力量把“骨干企业”搞好，中国半导体业才真正有希望。
目前，说中国存储器业的”春天”已经到来可能还为时尚早，确切地说，应该是中国的半导体业一定要跨入全球存储器的行列之中。至于未来能有多大的作为，要看我们的努力程度与造化，但是必须要在研发方面有所突破，或者在存储器生产线的运营中能够掌握它的独特规律。
中国半导体业用存储器作为IDM模式的突破口是个新的尝试。所以，一定要树立信心，并要有足够的耐心。中芯国际经过15年的历程，才刚达到年销售额30亿美元。所以，到2025年时再来回顾中国存储器业可能也不迟。
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