76岁DRAM芯片发明者下周将获IEEE荣誉勋章

IBM研究人员罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)  北京时间6月19日中午消息,据国外媒体报道,76岁的IBM研究人员罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)将于下周四获得IEEE颁发的荣誉勋章。  登纳德在IBM工作了51年,其主要成就有两项:1960年代末发明的DRAM内存芯片和1970年代中期发表的标度理论(scaling theory)。标度理论阐述了如何不断缩小晶体管尺寸,开发更小、更快、更廉价芯片的方法。登纳德称标度理论和摩尔定律“相得益彰”。  如果没有DRAM芯片,计算机内存的情形将与目前的硬盘和笔记本电池相似。登纳德回忆说,1960年代末,IBM大型主机主要使用磁芯存储器。磁芯存储器不但容易损坏,而且价格昂贵、速度慢,但其一个优点是具有非挥发性,即使断电后保存的数据也不会丢失。  当时,所有其他研究人员的存储芯片原型都采用多晶体管设计,设计复杂,造价昂贵。为了解决这一问题,部分研究人员开始测试双极晶体管。但登纳德看好金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“MOSFET”),他承认,“MOSFET确实不够先进,而且存在一些问题,但我仍然认为它非常有前途。”  登纳德终于制造出了采用单晶体管设计的存储单元,并于1968年申请了专利,但存储芯片市场仍然是多晶体管DRAM芯片的天下,直到1970年代中期,首个采用单晶体管设计的DRAM芯片才问世。(志翔)

时间: 2024-10-23 20:46:02

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