RRAM，阻变式存储器(Resistive Random Access Memory)的简称， RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存，其可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术，也被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。
与所有新材料及新技术的发展道路一样，对于RRAM的定义从实验室认知至作为产品上市，Crossbar算得上是个先导者。
上图为：Crossbar团队，右二为首席执行官George Minassian博士，左二为卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士
Crossbar其实只能算是个创业型公司，只不过，他有着在RRAM领域最卓越的世界顶级技术创始人及团队。Crossbar创立之前，RRAM技术在大学的科研实验室里已经过无数次的锤炼了。
Crossbar公司首席执行官George Minassian博士说：“Crossbar RRAM能够在邮票大小的芯片上实现太字节(terabyte)存储，而足够低的功耗可大规模运用于物联网，从而易于被定制到一系列应用中。从可穿戴应用的SoC嵌入式存储，到云数据中心的超高密度SSD，Crossbar正在催生一个存储器创新的新纪元。”
形象点说，Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据，能够将海量信息，例如250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。凭借简单的三层结构，堆叠性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。Crossbar拥有大容量和快速的优势，并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。
看起来，RRAM真的有闪存无可比拟的优势。闪存经过近30年的发展，但真正快速成长也是最近五年左右的时间，但随着闪存介质的越来越小型化，其存储的不稳定性也在逐渐上升。虽然目前来看似乎还够用，但随着大数据成倍增长，闪存似乎也只能加速改进才能应对这种风险。
闪存存在的问题行业人士自然会有着焦虑，但RRAM是否真的就能成为闪存技术的终结者?当然也带着疑问。
目前，RRAM的应用领域还不是很多，在消费电子、企业存储方面有着小规模的应用：
消费电子、手机、平板电脑：可将所有个人娱乐、数据、照片和信息存储到口袋大小的设备中。提供快速存储，回放，备份和归档。
企业存储、SSD和云计算：可拓展SSD的可靠性和容量。提升企业、数据中心和云存储系统的性能。
物联网;尤其是工业互联网，可为工业和连接应用程序，诸如智能电表和恒温器提供长达数年的电池寿命。拥有较大温度范围，使其能在极端炎热的夏天和寒冷的冬天保持稳定。支持全新、高集成的SoC，可由纽扣电池供电或通过太阳能、热能以及简单震动获取电能。
可穿戴计算：支持新一代可穿戴计算，能在非常紧凑的尺寸和低功耗情况下，实现高容量存储。
安全支付：能够永久存储安全应用所需的密码和加密密钥，覆盖从大容量智能卡，到用于非接触支付的高端移动处理器。
Crossbar RRAM目前在中国的进展是：由中国出生的卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士主研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢伟博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。
Crossbar目前已与中芯国际达成战略合作协议，同时也在加强对技术应用场景的开拓， 毕竟，一项新型技术真正得到大规模应用才算是被市场所认可，况且，作为底层的一项技术，其生态圈的打造还有待时日。
不管RRAM作为“闪存技术的终结者”是口号还是宣传噱头，RRAM作为一项新型技术，本身就具有划时代意义，这种普及也会需要很长的时间， 我们更愿意去接受这种新技术带给世界的美好可能!
本文转自d1net（转载）