台积电回应芯片松绑令:将升级上海厂工艺

2月11日上午消息,继台湾当局稍早宣布放宽面板与半导体公司对大陆的投资限制之后,台积电发言人曾晋皓周三称,公司将升级上海工厂的制造工艺技术。  曾晋皓称,公司还将按此前和解协议,将按照当局新法规申购中芯国际10%股份。  他并未透露上海工厂技术升级的具体时间表或引进新技术的情况。这家上海工厂目前使用0.18微米工艺。  台湾当局周三早些时候表示,将允许本地面板厂商在大陆投资建厂进行生产,并批准芯片商投资大陆企业。  以收入衡量,台积电是全球最大的芯片代工商。(萧然)

时间: 2024-07-29 13:46:24

台积电回应芯片松绑令:将升级上海厂工艺的相关文章

iPhone 8或鸟枪换炮 台积电7nm芯片工艺进展迅速

iPhone 7 所搭载的A10 处理器仍采用的是旧工艺,也就是台积电的16nm 制程--如果三星电子也有份,那就是14nm 制程.现在大家的目标都转向了10nm 制程,因为这项技术将会参与2017 年的智能手机产业发展.不过,现在我们得到了7nm 制程的好消息:台积电的7nm 制程很有可能会提前投入使用. 芯片图示 根据苹果供应链的报道,有研究机构暗中进行走访后发现,台积电的7nm 制程生产很有可能会从2018 年的第一季度提前至2017 年第四季度.如果这一猜测成为现实,意味着明年苹果就可以

AMD/NVIDIA大幅减少台积电40nm芯片订单

       虽然台积电成功上马了40nm工艺图形芯片生产线,但来自AMD和NVIDIA的订单却大不如前了. 与两大GPU巨头以前对每一代新工艺下达的订单规模相比,这次40nm来临的时候,订单量却锐减了30-40%之多. 受经济形势不确定性的影响,AMD和NVIDIA都对40nm核心采取了更为谨慎的态度,发布时间也均比原定计划晚不少. AMD的首款40nm GPU代号RV740,正式型号Radeon HD 4770/4750,将于五月份发布:NVIDIA方面首次试水40nm则是GT218,现已和

台积电升级上海厂工艺尚仅定购中芯8%股份

2月11日上午消息,台积电会将其在上海工厂的工艺从0.18微米升级到0.13微米.同时,台积电目前已确定将会购买中芯国际8%的股份.台积电代理发言人曾晋皓向新浪科技证实了这一消息. 台湾当局昨天宣布,将放宽本地面板厂商在大陆投资建厂进行生产的技术限制,并允许芯片商投资大陆企业. 曾晋皓对新浪科技说,台积电已经计划将上海工厂的工艺从0.18微米升级到0.13微米,但目前尚没有明确的时间表. 即使升级后,上海工厂的工艺仍与台湾本地工厂存在较大差距.曾晋皓说,台湾工厂已经可以大量采用12寸晶圆,生产4

台积电在美建厂遇到麻烦了,3nm工艺要黄?

今天,全球最大的半导体制造商台积电宣布,公司最初在美国建厂的计划可能要延迟了,预计最少到明年才能确定. 台积电发言人Michael Kramer在接受采访时表示,"我们在明年之前不会做出决定."但Michael Kramer坦言,"如果我们在美国建厂,我们会做出一些牺牲.在台湾,台积电上下协调起来非常方便,例如如果发生地震,工厂拥有本土优势,而如果这种情况发生在美国就非常困难了." 毕竟建设一座晶圆厂所耗费的资金是巨大的,而且还要考虑人才.环境等因素,所以台积电能否

台积电芯片代工独大,三星开始破局

韩国科技大厂三星电子日前宣布,公司已组成一个新的芯片代工业务部门,未来与台积电等代工厂商争夺客户. 市场预估这将给芯片代工市场带来重大的变数,而且也可能改变当前芯片代工市场台积电一家独大的态势. 相较台积电的领先优势,格罗方德在 2015 年透过三星的获取授权投产 14 纳米 FinFET 制程后,可发现在制程研发方面已落后三星和台积电. 至于,联电则在 2017 年第 1 季才量产 14 纳米 FinFET 制程,而中芯国际则正积极发展 28 纳米 HKMG 制程量产,预计 2019 年才会投

台积电明年上半年试产7纳米工艺芯片 2018年量产

北京时间4月19日消息,据台湾<电子时报>报道,台积电董事长张忠谋今天在一封致股东报告书中称,公司计划在明年上半年试产7纳米工艺. 台积电联席CEO刘德音在4月14日举行的投资者大会上表示,超过20家客户已开始洽谈7纳米工艺代工事宜,预计2017年有15家客户完成产品设计定案(tape out).刘德音称,台积电计划在2018年上半年实现7纳米工艺的量产. 据刘德音介绍,7纳米技术使用的设备95%与10纳米相同,台积电的7纳米技术开发进展顺利."7纳米工艺是10纳米工艺的进一步延伸,

台积电要造第一款7nm芯片 明年下半年可投产

台积电在近日宣布将与Xilinx.ARM.Cadence Design Systems联手打造全球第一款7nm工艺的新品,他们要做的是一款CCIX(Cache Coherent Interconnect for Accelerators)加速器转速缓存互联一致性测试芯片,采用台积电7nm FinFET工艺打造,预计在明年第一季度流片. 这个测试芯片是用来展现CCIX的各项功能,正面多核心高效能ARM CPU能通过互联架构与芯片外的FPGA加速器同步工作,同时台积电也用它来测试自己的7nm工艺.这

12核心 联发科和台积电将研发7nm芯片

据外媒报道,继台积电和联发科去年推出全球首款10nm工艺的Helio X30芯片之后,现在这两家厂商又在合作研发下一代7nm工艺芯片.据称它将拥有12个核心,比10nm移动芯片更快且效能更高. 联发科目前推出的10核心旗舰芯片,包括Helio X20.X23.X25.X27和X30五款,目前只有X20.X25和X27已上市,它们采用三丛集架构,CPU由2个负责性能的核心,和4+4个负责功耗续航的核心组成.目前还不清楚这款7nm 10核芯片会采用怎样架构,不过有可能是4+4+4,即4个性能核心+8

台积电首推智能机/平板电脑芯片新工艺

北京时间4月6日上午消息,台积电在近日举行的台积电2011技术研讨会上推出了业界首个专为智能手机.平板电脑芯片优化的制程工艺. 台积电研发部高级副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)表示,新制程技术隶属于28纳米工艺,名为28HPM(高性能移动制程工艺),专为智能机.平板电脑及其相关产品的芯片设计. 台积电新制程工艺可能是为苹果产品而设计,此前有传闻称台积电将为苹果代工下一代A5处理器芯片.除苹果外,台积电还可能将新工艺用于智能机和平板电脑领域的其他厂商产品,比如英伟达.高通.当被问及2